把绿色能源带进生活∣gcl-九游会官网真人游戏第一品牌
保利协鑫是全球规模、技术领先的多晶硅生产企业之一，也是全球硅片产能较大的企业，硅片年产能15吉瓦，2014年全球市占率30%。与此同时，通过技术研发和工艺革新，保利协鑫不断推出广受市场欢迎的“鑫单晶g系列”、高效多晶s系列（“鑫多晶s2”、“鑫多晶s3”、“鑫多晶s3 ”及“鑫多晶s4”），促使光电转换效率每6个月提升0.3-0.4个百分点，引领着国内硅片产品高效化市场的发展方向，推动电池、组件产品效率不断攀升，满足市场高效需求。
gcl改良西门子法多晶硅
公司通过引进国际高端装置和技术，深化组合、集成再造，打造出了具有自主知识产权的gcl法工艺，实现了具有中国特色的多晶硅生产“绿色”制造。同时依靠自主研发并获得国家专利的氯氢化装置，可以将多晶硅生产过程中产生的副产物－四氯化硅全部转化为多晶硅生产中的原料－三氯氢硅，实现物料循环利用及“零排放”，并大幅度降低生产成本，实现了多晶硅低成本、低能耗，高质量且环保的行业领跑水平。目前高纯电子级产品比例持续上升，公司在能耗、生产成本及产品质量方面已达到行业领先水平。
硅烷流化床法颗粒硅
流化床：
中能硅业通过自主研发和中试装置成功开发了硅烷流化床法，生产的颗粒硅产品达到电子多晶硅标准，为下游提供高品质、低成本的原料，填补了国内硅烷法制备多晶硅技术的空白，将有力推动高效太阳能电池产业的发展。
硅烷气：
硅烷气制备工艺专注于物料闭路循环，以最低能耗、最高产率获得高纯硅烷气，不仅为硅烷流化床提供高品质原料保证，也可以单独作为产品出售。
鑫多晶-s2硅片
鑫多晶-s2系列硅片是gcl通过对晶体生产理论的深刻理解，设计先进而独创的热场，开发精细的工艺，采用自产的优质硅料，在严格的质量控制下生产制造出来的高效硅片，将助力电池、组件客户打造更具竞争力、更有价值的产品。
- 独特的晶体结构
- 低氧、碳浓度
- 低金属杂质浓度
- 低位错、层错、晶界等缺陷密度
- 均匀的杂质分布
鑫多晶-s3硅片
鑫多晶s3基于s2平台全面提升。热场、工艺、材料的持续进步，赋予了鑫多晶s3更高的性能表现。
- 效率较s2提高0.2%-0.3%
- 效率分布集中度进一步提升
- 对电池工艺及辅材无特殊要求
鑫多晶-s4硅片
“鑫多晶 s4”是保利协鑫最新一代鑫多晶产品，具备如下三方面显著的技术特点：一是 gcl 新高效工艺高纯坩埚的使用，有效解决了多晶硅片边缘的黑边问题，大幅降低边缘黑边比例,提高转换率；二是长晶技术新平台进一步提高了转换效率，通过对硅片尺寸的优化设计，有效地提高了后端组件的输出功率；三是投入量产全新的共掺杂技术，彻底解决了多晶电池片的光衰问题，为后续的 perc 等高效工艺提供更宽广的空间。
- 共掺杂技术——组件光衰平均低1%
- 黑边缺陷改善——组件可靠性大幅提高
- 硅片尺寸更大——更高的组件功率输出
鑫单晶-g2硅片
“鑫单晶 g2”定位于高效硅片市场的主流应用，将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产品。相较于以传统直拉法制得的单晶产品，“鑫单晶g2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益，光衰平均低1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破。
- 高于g1基线1%绝对的效率提升，平均转化效率接近直拉单晶
- 业界领先的装料工艺和铸锭工艺
- 投料量大，操作简单，低成本
- 单一晶向，低缺陷
- 提供280/335w（60/72 pcs）以上组件最佳技术j9九游会真人游戏第一品牌的解决方案
n型单晶系列硅片
保利协鑫最新n型直拉单晶硅片系列产品，通过计算机模拟优化热场设计，结合工艺优化和原料、辅材质量提升，有效降低氧含量，严格控制缺陷，提高少子寿命，适用更高效电池技术需求。同时提供多种规格尺寸和切割方式供客户选择，提高组件输出功率。
- 行业领先的单晶生产技术，结合热场模拟、优化和一流的切片技术
- 自产多晶硅原料、品质稳定
- 高少子寿命
- 低碳、氧浓度
p型单晶硅片
拥有国内领先的单晶生长技术、单晶炉热屏技术和一流的切片技术，采用自产优质多晶硅料，导入精益生产，严格推行生产现场6s、ehs管理，可向客户提供优质高效6-8英寸单晶硅片。
- 完整的单晶结构
- 高少子寿命
- 均匀的掺杂分布
- 低碳、氧浓度
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